| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS42SM16200D-75BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42SM16200D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:32 Mbit; 组织:2 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile S动态随机存取存储器 |
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AS1C4M16PL-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous, Synchronous; 系列:AS1C4M16PL-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-49; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:70 ns; 组织:4 M x 16; 存储容量:64 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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IS62WVS5128FBLL-20NLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS62WVS5128FBLL; 存储类型:SRAM; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:20 MHz; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器 |
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IS43TR16128DL-107MBL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L |
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IS43TR85120B-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR85120B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:226 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS |
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IS43TR82560D-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:142 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR16128DL-107MBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
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IS43TR82560DL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:142 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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MTFC16GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:60 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:16 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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MTFC16GAPALBH-IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:16 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC eMMC 128G |
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IS62WVS5128GBLL-45NLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS62WVS5128GBLL; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:45 MHz; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 45MHz Serial 静态随机存取存储器 IT |
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IS21ES16G-JCLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:24.6 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:IS21ES16G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 16GB 3.3V 200Mhz eMMC 5.0 I-Temp |
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IS21ES32G-JCLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:47.8 MB/s; 连续读取:254 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:IS21ES32G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 32 GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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IS21ES16G-JQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:24.6 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:16 GB; 系列:IS21ES16G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 16 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS62WVS5128FBLL; 存储类型:SRAM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:20 MHz; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 20MHz Serial 静态随机存取存储器 IT |
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IS43TR16256BL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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THGBMJG8C4LBAU8 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 32GB eMMC 5.1 2D 15nm -40C to 105C |
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AT24C256C-MAHL-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C256C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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BR24T64-WZ |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8K; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 SERIES |
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BR24T512F-3AME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:4.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C, Serial; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 OF BUS INTERFACE METHOD |
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BR93A56RFVM-WMTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 FOR BATTERY POWERED DEV |
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BR25H640FJ-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:8192 x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 64KBIT SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 OF SPI BU |
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BR25H128FJ-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:16384 x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 128KBIT SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 OF SPI B |
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BR25H128F-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:16384 x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 128KBIT SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR25A256F-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:99; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 接口类型:SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 105°C OPERATION SPI BUS EE |
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BR24T512FJ-3AME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:4.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C, Serial; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 OF I²C BUS INTERFA |
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BR24T512FVT-3AME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:4.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C, Serial; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 OF I²C BUS |
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BR24T1MFJ-3AME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:4.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C, Serial; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 MB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 OF I2C BUS INTERFACE ME |
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SST39LF401C-55-4C-EKE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash |
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W25R256JWEIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:126; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:W25R256JW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 RPMC spiFlash, 1.8V, 256M-bit |
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GS880Z32CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 200MHz, Commercial Temp |
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GS880Z32CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:150 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 150MHz, Commercial Temp |
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W25Q01JVSFIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:88; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:W25Q01JV; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1G-bit, 4Kb Uniform Sector |
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GS880Z32CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:150 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 150MHz, Industrial Temp |
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GS880Z32CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp |
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7142LA25JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 类型:Asynchronous; 系列:7142; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:220 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM |
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MTFC4GMWDQ-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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70V24L20JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power 3.3 V Dual Port Static RAM; 系列:70V24L20; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:20 ns; 组织:4 k x 16; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4K x 16 3.3V Dual-Port RAM |
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7026L20JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:7026L20; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:315 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 |
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IS43TR82560DL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:142 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR82560D-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:159 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR82560DL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:159 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR82560D-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:159 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR82560DL-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:159 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS46TR16128DL-125KBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16128DL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:188 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS46TR16128DL-107MBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16128DL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS61WV102416FALL-20TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV102416FALL; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:2.2 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS |
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IS61WV20488FBLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV20488FBLL; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:2 M x 8; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS |
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IS61WV102416FALL-20BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV102416FALL; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:2.2 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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IS43TR85120BL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR85120BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:226 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS, IT |
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