美光科技公司今日宣布，其第九代（G9）三层单元（TLC）NAND闪存现已在固态硬盘（SSD）中量产，成为业内首家达成此项里程碑的公司。美光G9 NAND拥有业界最高的3.6 GB/s传输速度，为读写数据提供了前所未有的带宽。这一新型NAND闪存为 artificial intelligence（AI）及其他数据密集型应用提供了最佳性能，适用范围从个人设备、边缘服务器到企业和云数据中心等不同场合。

美光公司的执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光G9 NAND的出货标志着美光在工艺技术和设计创新方面的强大实力。与市场上目前可用的竞争技术相比，美光G9 NAND密度提高了高达73%，允许更紧凑、更高效的存储解决方案，这对消费者和企业都大有裨益。”

领先的技术带来无与伦比的性能

美光G9 NAND利用业界最快的NAND I/O速度，满足数据密集型工作负载的高吞吐量需求，其数据传输速度比目前任何在SSD中发货的NAND快50%。美光G9 NAND还在每颗芯片的写入带宽上达到了99%的提升，读取带宽上达到了88%的提升，相比于目前可用的竞争NAND解决方案。这些单芯片的好处转化为在SSD和嵌入式NAND解决方案中的性能和能效收益。

与其前代NAND相比，美光G9 NAND采用的是紧凑的11.5mm x 13.5mm封装，比竞品节省了28%的空间，成为市面上最小的高密度NAND。更高密度的小尺寸设计为各种用例提供了更多的设计选择。

美光公司的执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“连续第三代，美光在引入创新的前沿NAND技术方面引领了行业。集成美光G9 NAND的产品将提供明显的性能优势，超过竞争产品。美光G9 NAND将为存储创新奠定基础，为所有终端市场的客户提供价值。”

美光G9 NAND在美光2650 SSD中实现了行业领先的性能

美光2650 NVMe SSD整合了尖端的G9 TLC NAND，为日常计算提供了超越竞争者的最佳用户体验，在PCMark® 10测试中胜出。

美光的客户存储副总裁兼总经理Prasad Alluri表示：“接近PCIe Gen4的理论饱和水平，美光2650 SSD利用我们新的G9 NAND推动了价值TLC客户端SSD可以实现的边界。与竞争解决方案相比，该驱动器的PCMark 10基准测试得分高出38%，旨在重新定义此类SSD的用户体验。”

IDC固态硬盘及启用技术研究副总裁Jeff Janukowicz指出：“AI的进步增加了生成的数据量，并推动了对更多存储的需求，导致客户需要更好的性能以跟上AI的步伐。”美光2650等SSD，受益于最新一代NAND创新，将对从商业到个人消费者的广泛用户群体至关重要。”

与竞争对手相比，美光2650 NVMe SSD提供行业领先的可靠性，并通过其动态SLC缓存的性能加速缓存功能，为更快的写入性能。美光2650 NVMe SSD为PCIe Gen4提供了实际饱和性能，顺序读取速度高达7,000 MB/s。这些令人印象深刻的数据凸显了美光致力于推动技术界限，为客户提供无与伦比的性能。

美光2650 SSD已面向客户OEM提供G9 NAND，并且还在以组件形式以及Crucial消费级SSD中与客户进行验证。了解更多信息，请访问美光G9 NAND和美光2650客户端SSD。

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