SK hynix Inc.宣布，作为全球首家，向主要客户发放了面向人工智能（AI）的新型超高性能动态随机存取内存（DRAM）——12层次高带宽内存（HBM4）样品。这批样品的交付超前完成，得益于SK hynix在HBM市场中的技术领先和丰富的生产经验，公司即将开始客户的认证过程。SK hynix计划在今年下半年完成12层HBM4产品的量产准备工作，以加强其在下一代AI存储市场中的地位。

此次提供的12层HBM4样品在容量和速度上实现了业界最佳，这两项是AI存储产品不可或缺的特性。首次实现了每秒处理超过2TB（太字节）数据的带宽能力，相当于每秒处理超过400部全高清电影（每部5GB），比前一代HBM3E的速度快了60％以上。

SK hynix还采用了先进的MR-MUF工艺，达到了36GB的最高容量，这是12层HBM产品中最高的。该工艺已通过上一代产品的成功生产证明了其竞争力，它通过改善热量散发，帮助防止芯片翘曲，同时最大化了产品稳定性。

继2022年成为首家大规模生产HBM3的供应商，以及2024年生产8层和12层HBM3E后，SK hynix通过及时开发并供应HBM产品，一直引领着AI存储市场。

SK hynix的AI基础设施部门总裁兼负责人Justin Kim表示：“经过多年的稳定努力，克服技术挑战，满足客户需求，我们增强了作为AI生态系统中领跑者的地位。现在，利用我们作为行业最大HBM供应商所积累的经验，我们准备顺利进行性能认证和量产前的准备工作。”

为了深入把握当前技术动态和未来方向，以下是当前市场上六款不同领域适用的知名芯片品牌及型号：

Intel Core i9 —— 高性能个人计算
NVIDIA GeForce RTX 3080 —— 游戏和图形处理
AMD Ryzen 9 —— 多任务处理
Samsung Exynos 2100 —— 智能手机
Qualcomm Snapdragon 888 —— 移动计算
Apple M1 —— 轻薄型笔记本与桌面计算