器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BR93H66RFVM-WCTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1.25 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kB; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 (3-Wire) 1.25MHz 4Kbit 2.7-5.5V |
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AT21CS01-STUM14-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 封装 / 箱体:SOT-23-3; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S电可擦除可编程只读存储器, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 3-SOT23 |
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AT21CS01-STUM12-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 封装 / 箱体:SOT-23-3; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S电可擦除可编程只读存储器, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 3-SOT23 |
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BR25H160F-2CE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 16Kbit 2.5-5.5V |
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47L04T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 系列:47L04; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 4k, 3.0V EERAM IND |
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47C16T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 系列:47C16; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 16k, 5.0V EERAM IND |
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SST25PF040CT-40V/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SST25PF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb, Serial Flash, 3.0V, 105C |
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BR25H128F-2CE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 128Kbit 2.5-5.5V |
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AT25SF641-SUB-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25SF641; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 64M 2.7V-3.6V SPI 104MHz IND TEMP |
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BR25A256FJ-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 256Kbit 2.5-5.5V |
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BR25A256FVT-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 256Kbit 2.5-5.5V |
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AT25XV041B-SSHV-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Sector; 速度:85 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:5.5 mA; 电源电压-最大:4.4 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:AT25XV041B; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 4M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O |
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AT25XV021A-XMHV-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25XV021A; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 2M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O |
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BR25H640FVM-2ACTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kB; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 64Kbit 2.5-5.5V |
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BR25H640FVT-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 64Kbit 2.5-5.5V |
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BR25G512F-3GE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 512K 1.8-5.5 Std SOP8 |
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BR25H640F-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 64Kbit 2.5-5.5V |
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AT25XV041B-XMHV-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Sector; 速度:85 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:5.5 mA; 电源电压-最大:4.4 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:AT25XV041B; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 4M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O |
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GD25LE64CLIGR |
GigaDevice |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:GigaDevice; 速度:120 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:120 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:GD25LE64C; 封装 / 箱体:WLCSP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:GigaDevice; |
NOR闪存 64Mbit NOR闪存 /1.8V /WLCSP /Industrial(-40 to +85 ) /T&R |
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BR25A512FJ-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 512Kbit 2.5-5.5V |
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BR25A512FVT-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 512Kbit 2.5-5.5V |
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BR25A512F-3MGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 512Kbit 2.5-5.5V |
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AT25PE80-MHN-Y |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash-L; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 速度:85 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AT25PE80; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8Mb 1.7V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP |
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BR25H128FVT-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 128Kbit 2.5-5.5V |
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BR93H86RFJ-WCE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1.25 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 16; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 (3-Wire) 1.25MHz 16Kbit 2.7-5.5V |
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BR24A16FJ-WME2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 400KHz 16Kbit 2.5-5.5V |
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S29AL016J70BFA013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:2 M x 8/1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:S29AL016J; 封装 / 箱体:FBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 IC 16 Mb FLASHMEM |
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BR25H256FJ-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kB; 封装 / 箱体:SOP-J8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 256Kbit 2.5-5.5V |
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BR25H256F-2ACE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5.5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 10MHz 256Kbit 2.5-5.5V |
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S25FL064LABMFM013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:54 MHz, 108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FL064L; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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SST26WF064C-104I/TD |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST26WF064C; 封装 / 箱体:TBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mbit 1.8V SQI flash |
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MT25QL128ABB8ESF-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 接口类型:SPI; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SERIAL NOR 128M MT25Q 45nm IT |
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S25FL256LAGNFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Synchronous; 接口类型:SPI; 系列:S25FL256L; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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W25R256JVEIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:63; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:W25R256JV; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 RPMC spiFlash, 3V, 256M-bit |
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AT28BV64B-20SU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:80 ns; 工作电源电流:15 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28BV64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:15 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Parallel; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 200NS SOIC IND GRN |
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MT25QU256ABA8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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S25FL128LAGNFM010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128L; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 UPDFN IT M70A |
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S25FS256SAGMFB000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FS128S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT41K64M16TW-107 AUT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 1G 64MX16 FBGA |
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S26KL128SDABHB020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S26KL128SDABHN020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S26KL128SDABHN030 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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S26KS128SDPBHA020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 系列:S26KL/S26KS; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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MT46V64M8P-5B:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 512M 64MX8 TSOP |
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S25FL256LAGBHM030 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT53E128M32D2DS-046 AAT:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA AAT DDP |
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MT53E128M32D2DS-053 AUT:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA AUT DDP |
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SDINBDG4-8G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 0.8 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:30 MB/s; 连续读取:300 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:iNAND 7250; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 8GB iNAND 7250 Auto. eMMC 5.1 -40 to 105C |
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25TL; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX8 SOIC DDP |