| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MT25QU02GCBB8E12-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 512MX4 TBGA QDP |
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FM22L16-55-TG |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:FRAM; 访问时间:55 ns; 封装:Tray; 系列:FM22L16-55-TG; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM 4M (256Kx16) 55ns F-RAM |
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FM22LD16-55-BG |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 访问时间:55 ns; 封装:Tray; 系列:FM22LD16-55-BG; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM 4M (256Kx16) 55ns F-RAM |
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AT28LV010-20TU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 编程电压:3.135 V to 3.465 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:80 ns; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:15 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:18.5 mm; 长度:8.2 mm; 高度:1.05 mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.63 V; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电流—最大值:15 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP |
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CY7C1062G30-10BGXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:SRAM; 系列:CY7C1062G/GE; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:110 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 32; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 16Mb Fast 静态随机存取存储器 With ECC |
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IS42S16320D-7TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S16320D; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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BR93H86RF-2LBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:3-Wire / MicroWire; 组织:1 k x 16; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 16Kbit(1024x16bit) |
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BR25H160F-2LBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 16K 2.5-5.5 Industrial SOP8 |
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BR25H320F-2LBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 32K 2.5-5.5 Industrial SOP8 |
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BR24A01AF-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 1K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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BR24A04F-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 4K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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BR25H128F-2LBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 128K 2.5-5.5 Industrial SOP8 |
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BR24A08F-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 8K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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BR24A16F-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 16K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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BR24A32F-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 32K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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BR24A64F-WLBH2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:100 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kB; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 64K 2.5-5.5 Ind SOP8 |
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R1LV5256ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C |
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R1LP0108ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 5V STSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LV0108ESF-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C |
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CY15V104QN-50SXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:188; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.71 V to 1.89 V; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:CY15V104; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.89 V; 电源电压-最小:1.71 V; 组织:512 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM Excelon LP 50 MHz 8-EIAJ |
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CY15V108QN-20LPXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.71 V to 1.89 V; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY15V108; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:1.89 V; 电源电压-最小:1.71 V; 组织:1024 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Mbit; 封装 / 箱体:GQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM Excelon LP 20 MHz 8-GQFN |
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CY15V108QI-20LPXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.71 V to 1.89 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY15V108; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:1.89 V; 电源电压-最小:1.71 V; 组织:1024 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Mbit; 封装 / 箱体:GQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM Excelon LP 20 MHz 8-GQFN |
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MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29G; 封装 / 箱体:BGA-149; 存储容量:2 Gbit, 4 Gbit; 类型:Multichip Packages; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 |
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SDINDDH4-256G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 系列:8521; 型号:v2.1 Gen 5; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 接口类型:Gear3 / 2 lane; 配置:SLC; 存储容量:256 GB; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) 256GB iNAND 8521 UFS 2.1 |
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MR45V256AMAZAAT-L |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:FRAM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 组织:32 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz |
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AT27LV256A-90JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:50 ns; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:90 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27LV256A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V, 4.5 V; 电源电压-最大:3.6 V, 5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:8 mA; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 90NS PLCC IND GRN |
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AT27C020-55JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:55 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27C020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 工作电源电流:25 mA; 接口类型:Parallel; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 55NS, PLCC, IND TEMP, GREEN, T&R |
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N01S830BAT22IT |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:N01S830; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT |
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AT27BV1024-90JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:90 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27BV1024; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 工作电源电流:8 mA; 接口类型:Parallel; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 90NS, PLCC, IND TEMP, GREEN, T&R |
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S27KS0641DPBHI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:S27KS0641; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
动态随机存取存储器 HyperRAM 1.8-V 64Mb |
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AT27C2048-90JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:35 ns; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:90 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27C2048; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:35 mA; 接口类型:Parallel; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-44; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 90NS PLCC IND GRN |
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AT27C040-90JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:35 ns; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:90 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27C040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:30 mA; 接口类型:Parallel; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 90NS PLCC IND GRN |
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AT27C040-70JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:30 ns; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:70 ns; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT27C040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:30 mA; 接口类型:Parallel; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 70NS PLCC IND GRN |
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NXH5104UK/A1Z |
NXP |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1 V to 2 V; 工作电源电流:700 uA; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1 V; 电源电流—最大值:0.7 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:WLCSP-13; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
电可擦除可编程只读存储器 4 Mbit Serial 电可擦除可编程只读存储器 |
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MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29G; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR4 8G |
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MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1140; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29C; 封装 / 箱体:VFBGA-137; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/MOBILE DDR 6G |
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MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29G; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR4 6G |
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S71KS512SC0BHV000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash, HyperRAM; 电源电压-最大:1.8 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit; 电源电流—最大值:160 mA; 接口类型:Parallel; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:96 ns; 产品:NOR-Based MCP; 封装:Tray; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:166 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:S71KS512SC0; 封装 / 箱体:FBGA-24; 存储容量:512 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
多芯片封装 Nor |
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MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29G; 封装 / 箱体:BGA-149; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR4 6G |
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CY15B104QN-50SXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:188; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:CY15B104; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:512 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM FRAM Excelon Auto |
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SDINDDH4-32G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 系列:8521; 型号:v2.1 Gen 5; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 接口类型:Gear3 / 2 lane; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) 32GB iNAND 8521 UFS 2.1 |
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CY15V104QSN-108LPXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.71 V to 1.89 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY15V104; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.89 V; 电源电压-最小:1.71 V; 组织:512 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:GQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM FRAM Excelon Ultra |
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SDINDDH4-64G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 系列:8521; 型号:v2.1 Gen 5; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 接口类型:Gear3 / 2 lane; 配置:SLC; 存储容量:64 GB; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) 64GB iNAND 8521 UFS 2.1 |
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SDINDDH4-128G |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 系列:8521; 型号:v2.1 Gen 5; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 接口类型:Gear3 / 2 lane; 配置:SLC; 存储容量:128 GB; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
通用闪存存储 (UFS) 128GB iNAND 8521 UFS 2.1 |
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LE25U40CMDTWG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 结构:Sector; 速度:40 MHz; 存储类型:Non-Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:40 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:LE25U40; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 4M BIT SERIAL FLASH MEMOR |
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CY15B064Q-SXET |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CY15B064Q; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 组织:8 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM F-RAM Memory Serial |
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CY15B102QN-50SXE |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:188; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:CY15V102; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:256 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM FRAM Excelon Auto |
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CY15B104QSN-108SXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:188; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:CY15B104; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:512 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM 4Mb F-RAM 108 MHz QSPI |
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CY15B016Q-SXET |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:CY15B016Q; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 组织:2 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM F-RAM Memory Serial |
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