| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS64WV51216EEBLL; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:135 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 10ns LP Async 静态随机存取存储器 A-Temp |
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W25Q512JVEIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:126; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:W25Q512JV; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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IS25LP016D-JNLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, AUTO GRADE |
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AT24C04D-PUM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C04D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-PDIP |
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24CW1280T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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71321LA55PPGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:71321LA55; 存储类型:SRAM; 数据速率:16 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM w/Int |
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THGAMRG7T13BAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:16 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 16GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C |
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IS43TR16128D-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 |
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IS43TR16128DL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
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W25Q512JVEIM |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:126; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:W25Q512JV; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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IS43TR16128D-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 I-Temp |
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SST25WF040B-40E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 速度:40 MHz; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:40 MHz; 接口类型:4-Wire; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST25WF; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1.8V, 4Mbit SPI Flash |
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IS25LP016D-JLLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb 3V 66/133Mhz Serial NOR闪存 |
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24CW1280T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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24CW1280-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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SST26VF016BEUI-104I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI Flash w/EUI, 85C, 2.3V-3.6V |
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AS1C8M16PL-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous, Synchronous; 系列:AS1C8M16PL-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-49; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:70 ns; 组织:8 M x 16; 存储容量:128 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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24FC01T-E/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC01; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 5-SOT23 |
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24FC02T-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 5-SOT23 |
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W25Q512JVFIM |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiStack; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:132; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:W25Q512JV; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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AS1C2M16P-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:364; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS1C2M16P-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.6 V; 电源电压-最大:3.3 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:2 M x 16; 存储容量:32 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 32M 2Mx16 3V 70ns Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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IS61WV5128FBLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV5128FBLL; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS |
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IS43TR16128DL-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
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AT24C512C-SHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:95; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C512C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Temp, 8-SOIC-W |
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IS25LP016D-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb 3V 66/133Mhz Serial NOR闪存 |
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SST26VF016B-80E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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AS4C32M16SC-7TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16SC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz S动态随机存取存储器 I-Temp |
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AT25128B-MAHL-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25128B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V, 20MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
|
AT24C02C-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C02C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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24CW1280T-I/MUY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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24CW1280T-I/CS1668 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW1280; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kB; 封装 / 箱体:CSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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IS43TR16128DL-125KBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
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IS43TR16256B-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:308 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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AT93C46DY6-YH-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT93C46D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8, 64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V, 2MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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SST26VF064BEUIT-104I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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AT25320B-MAHL-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25320B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V, 20MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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SST26VF016BT-80E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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AT24C16D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C16D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 1.7-3.6V,1MHz Ind Tmp, 8-UDFN |
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AT24C08C-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C08C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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NV25080DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 8KB SPI SER CMOS EE PROM S |
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AT24C08D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24C08D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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AS4C1G8D3LA-10BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:AS4C1G8D3LA-10; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C1G8D3LA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 ET |
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AS4C512M16D3LB-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C512M16D3LB-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:122 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G, DDR3L, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 0 C to 95 C |
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SST26VF032BEUIT-104I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 接口类型:SPI, SQI; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 32Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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SST26VF064BEUI-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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IS43TR16128DL-125KBL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L |
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NV25320DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 32KB SPI SER CMOS E EPROM |
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SST26VF064BEUIT-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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