| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS61WV25616FBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616FBLL; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns 2.4-3.6V Async 静态随机存取存储器 |
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SST26VF016BT-80E/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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AT25010B-MAHL-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25010B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V, 20MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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BR24T256-WZ |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8K; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 SERIES |
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SST26VF016BT-80E/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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BR24T128-WZ |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8K; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 SERIES |
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IS43TR16128D-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 |
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24FC04H-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, IND W/HALF ARRAY WP |
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24FC04HT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, EXT W/HALF ARRAY WP |
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24FC04H-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, EXT W/HALF ARRAY WP |
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24FC04T-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC |
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24FC04HT-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, IND W/HALF ARRAY WP |
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24FC04H-E/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP, EXT W/HALF ARRAY WP |
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BR93G46FVJ-3AGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-B8J; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 3-Wire 电可擦除可编程只读存储器 16bit; TSSOP-B8J |
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SST26VF016B-80E/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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SST26VF064BEUI-104I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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GS816118DGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816118DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:190 mA, 200 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:8 Gbit; 组织:256 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT |
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MT53E512M32D2NP-046 WT:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:16 Gbit; 组织:512 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP |
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MTFC32GAPALBH-AIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC eMMC 256G |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
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AT28C010-12JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28C010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 最大时钟频率:-; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 120NS, PLCC, IND TEMP, GREEN |
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AT28C010E-12JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28C010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:40 mA; 最大时钟频率:-; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 120NS, PLCC, IND TEMP, GREEN |
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MTFC32GAPALBH-AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC eMMC 256G |
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MT53E768M32D4DT-053 AIT:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:24 Gbit; 组织:768 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 24G 768MX32 FBGA AIT QDP |
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MTFC64GAPALBH-AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 512G |
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MT53D1024M32D4DT-046 WT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; 存储容量:32 Gbit; 组织:1 G x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP |
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MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1120; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 系列:MT29F; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 64G 8GX8 VBGA DDP |
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MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP |
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MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP |
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:16 G x 8; 存储容量:128 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 128G 16GX8 TSOP QDP |
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AS4C256M16D3B-12BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M16D3B-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G 1.5V 800MHz 256M x 16 DDR3 |
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MT41K256M16TW-107:P |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA |
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MT41K256M16TW-107 AAT:P |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1368; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 256MX16 FBGA |
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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 256MX4 WPDFN DDP |
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MT40A512M16LY-062E IT:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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MT40A512M16LY-062E IT:E TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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MTFC8GAMALBH-AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MASSFLASH/CONTROLLER 64G |
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MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
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MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:4 G x 8; 存储容量:32 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 32G 4GX8 TSOP |
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MT53D1024M32D4DT-053 WT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP |
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IS25LP256D-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256M 3V 166MHZ Serial Flash |
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AS4C256M16D3LB-12BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C256M16D3LB-12; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 800Mhz 256M x 16 30nm DDR3 |
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IS43TR16512BL-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16512BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT |
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CY15B108QN-40SXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:188; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 系列:CY15B108; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:1024 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM Excelon LP 40 MHz 8-EIAJ |
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MT41K512M8DA-107 AAT:P |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT41K; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA |
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IS43TR16512B-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16512B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT |
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CY15B108QI-20LPXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:Excelon; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY15B108; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 组织:1024 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Mbit; 封装 / 箱体:GQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM Excelon LP 20 MHz 8-GQFN |
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S29GL01GT11DHV023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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24CW640T-I/CS1668 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW640; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:CS1-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp |
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