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光学探测器和传感器
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
BPW34 光学探测器和传感器 BPW34 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 封装:Tube; 长度:4.5 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg
BPW34S 光学探测器和传感器 BPW34S Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1800; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg
TCS34725FN 光学探测器和传感器 TCS34725FN ams 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:3500; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 最大上升时间:300 ns; 最大下降时间:300 ns; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C; 商标:ams; 系列:TCS3472; 分辨率:16 bit; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FN-6; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:235 uA; 最大工作频率:400 kHz; 峰值波长:525 nm; RoHS:Y; 制造商:ams; 光学数位转换器 Color Light-to-Dig Convtr w/IR Filter
G-TPCO-019 光学探测器和传感器 G-TPCO-019 TE Connectivity 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:IR Detectors; 商标:Measurement Specialties; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:TE Connectivity; 红外探测器 THERMOPILE TEMP ELEMENT TO-5
LTR-4206 光学探测器和传感器 LTR-4206 Lite-On 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lite-On; 宽度:4 mm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.25 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:940 nm; 封装 / 箱体:T-1; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; 光电晶体管 Phototrans Clear
LTR-301 光学探测器和传感器 LTR-301 Lite-On 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:20 deg; 商标:Lite-On; 宽度:2.25 mm; 波长:940 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4.4 mm; 高度:5.72 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3.84 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; 光电晶体管 Phototrans Clear
OP550B 光学探测器和传感器 OP550B TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:930 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4.7 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光电晶体管 Photo Transistor
QSE773 光学探测器和传感器 QSE773 ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:30 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.95 mm; 封装:Bulk; 长度:5.46 mm; 高度:7.9 mm; 系列:QSE773; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光电二极管 PHOTO DIODE TRANS.
E3T-ST12 光学探测器和传感器 E3T-ST12 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 特点:Offered in both flat and rectangular; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Leaded; 光源:Red LED; 感应距离:0 m to 1 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 NPN THRU BEAM
SFH 2505-Z 光学探测器和传感器 SFH 2505-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.6 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:5.7 mm; 高度:7.4 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电二极管 PHOTODIODE, SMR
VBPW34SR 光学探测器和传感器 VBPW34SR Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Reverse gullwing 430-1100nm +/-65 deg
QSE114 光学探测器和传感器 QSE114 ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.54 mm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:4.44 mm; 高度:5.08 mm; 系列:QSE114; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:Side Looker; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光电晶体管 1mA PHOTO TRANS
TEKT5400S-ASZ 光学探测器和传感器 TEKT5400S-ASZ Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Phototransistors; 商标:Vishay Semiconductors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 Phototransitor Sv lens 37deg
E3T-SL11 光学探测器和传感器 E3T-SL11 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 特点:Offered in both flat and rectangular; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-leaded; 光源:Red LED; 感应距离:5 mm to 15 mm; 感应方式:Limited Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 NPN CONVERGENT-BEAM
TEMD1000 光学探测器和传感器 TEMD1000 Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:4 ns; 上升时间:4 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Reverse gullwing 790-1050nm +/-15 deg
ZX2-LD50 光学探测器和传感器 ZX2-LD50 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; 光电传感器 ZX2 Head 50mm Diffuse Spot
QSE159 光学探测器和传感器 QSE159 ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:100 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.54 mm; 波长:880 nm; 长度:4.44 mm; 高度:5.08 mm; 封装:Bulk; 系列:QSE159; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:6 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:5 mA; 工作电源电压:4 V to 16 V; 输出类型:Open Collector, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光IC传感器 LOGIC DETECTOR
E3Z-G61 光学探测器和传感器 E3Z-G61 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40 mm; 系列:E3Z; 长度:50 mm; 高度:11 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 感应距离:25 mm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 1 Axis Npn Pre-Wired
E3S-AT86 光学探测器和传感器 E3S-AT86 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12 mm; 系列:E3S-A; 长度:51.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:7000 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PNP VERT 7M
LTR-3208 光学探测器和传感器 LTR-3208 Lite-On 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lite-On; 波长:940 nm; 封装:Bulk; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:9.6 mA; 工作电源电压:5 V; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; 光电晶体管 Phototrans Clear
E3S-CD12 光学探测器和传感器 E3S-CD12 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 封装:Bulk; 长度:50 mm; 高度:29.5 mm; 特点:Mutual interference protection; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 连接方法:Pre-Wired; 光源:Infrared LED; 感应距离:2 m; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 DIFFUSE REFLECTIVE
OP593B 光学探测器和传感器 OP593B TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光电晶体管 Photo Transistor
WP3DPD1BT/BD 光学探测器和传感器 WP3DPD1BT/BD Kingbright 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:50 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; 光电二极管 3mm PHOTODIODE
TEMT1030 光学探测器和传感器 TEMT1030 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 Yoke 730 to 1000nm +/-15 deg
VEMD5160X01 光学探测器和传感器 VEMD5160X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:26 uA; Pd-功率耗散:240 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:30 ns; 上升时间:30 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:200 pA; 峰值波长:840 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 700-1070nm +/-65 deg
E39-S65C 光学探测器和传感器 E39-S65C Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 APERTURE 2.0 DI AMETER
E3Z-FTN11 2M 光学探测器和传感器 E3Z-FTN11 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:15 mm; 系列:E3Z-F; 长度:31 mm; 高度:35 mm; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:20 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 20M THRUBEAM SENSOR RED NPN Pre-wired 2M
EO1804NPAS 光学探测器和传感器 EO1804NPAS Carlo Gavazzi 光学探测器和传感器 电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:40 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 40 V; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:LED; 感应距离:400 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; 制造商:Carlo Gavazzi; 光电传感器 PHOTO, DIFFUSE M18 400MM NPN
VP02E 光学探测器和传感器 VP02E Carlo Gavazzi 光学探测器和传感器 电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:40 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 40 V; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:LED; 制造商:Carlo Gavazzi; 光电传感器 LVL SNSR OPTICAL NPN NO
E39-F18 光学探测器和传感器 E39-F18 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; 光电传感器 LONG DISTANCE M6 LENS UNIT
E3S-R61 光学探测器和传感器 E3S-R61 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; 特点:Detects clear glass or plastic bottles, and transparent films with simple setup; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-leaded; 光源:Red LED; 感应距离:0.1 m to 1 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 NPN transparent obj 0.1 to 1m
E3S-LS10XE4 光学探测器和传感器 E3S-LS10XE4 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; 特点:Pin point focusable and area focusable models eliminate back ground objects; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In DC; 光源:Red LED; 感应距离:10 cm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PROXIMITY
E3S-AR81 光学探测器和传感器 E3S-AR81 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:45.3 mm; 高度:23.3 mm; 特点:Control the laser with digital fiber amplifier; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:10 cm to 130 cm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 2M RETRO PNP VERT
APTR3216P3BT 光学探测器和传感器 APTR3216P3BT Kingbright 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:1.6 mm; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.2 mm; 高度:1.05 mm; 系列:HELI-R; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 工作电源电压:-; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; 光电晶体管 3.2x1.6mm PHOTOTRANSISTOR
SFH 309-5/6 光学探测器和传感器 SFH 309-5/6 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us, 9 us; 上升时间:8 us, 9 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
BP 103-3/4 光学探测器和传感器 BP 103-3/4 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:55 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 类型:Chip; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:5.5 mm; 高度:3.6 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:7 us, 9 us; 上升时间:7 us, 9 us; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:TO-18; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTODIODE
OPT101P-JG4 光学探测器和传感器 OPT101P-JG4 Texas Instruments 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:OPT101; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:650 nm; 响应率:0.45 A/W; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 光频率和光电压 Mono Photodiode & Sngl-Sply Trans Amp
E39-ECON 5M 光学探测器和传感器 E39-ECON 5M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Single End Cable 5M E-con 4 Wire Conn
E3Z-FDP17 2M 光学探测器和传感器 E3Z-FDP17 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:15 mm; 系列:E3Z-F; 长度:31 mm; 高度:35 mm; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 500mm DIFFUSED INFRARED PNP 2M
XUB2BKSNM12T 光学探测器和传感器 XUB2BKSNM12T Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Telemecanique; 宽度:18 mm; 系列:XUB; 长度:60 mm; 特点:Photoelectric retroreflect sensor; 主体类型:Cylindrical; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 连接方法:M12 Connector; 光源:LED (Green); 感应距离:15 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 Photoelectric Sensor 18mm Emitter XUB
XULK0830 光学探测器和传感器 XULK0830 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUL; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 30V
XUB1BPANL2 光学探测器和传感器 XUB1BPANL2 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Telemecanique; 宽度:18 mm; 系列:XUB; 长度:46 mm; 特点:Photo-electric sensor; 主体类型:Cylindrical; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Infrared LED; 感应距离:4 m; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 18MM PNP XUB
XUB0APSNL2 光学探测器和传感器 XUB0APSNL2 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUB; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 18MM PNP XUB
RPT-38PT3F 光学探测器和传感器 RPT-38PT3F ROHM Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:36 deg; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:3.4 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:3.4 mm; 高度:5.2 mm; 系列:RPT-38PT3F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:500 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 光电晶体管 CLEAR PHOTOTRANS VISIBLE RAY CUT
E39-S65F 光学探测器和传感器 E39-S65F Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 APERTURE 2.0 X 10 SLOT
PA18CAR65PAM1SA 光学探测器和传感器 PA18CAR65PAM1SA Carlo Gavazzi 光学探测器和传感器 电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:30 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 30 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 光源:LED; 感应距离:6.5 m; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Carlo Gavazzi; 光电传感器 PHOTO AX RR PL M18 PNP NO+NC,PLUG
PH18CNT20NASA 光学探测器和传感器 PH18CNT20NASA Carlo Gavazzi 光学探测器和传感器 电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:30 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 30 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:LED; 感应距离:20 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Carlo Gavazzi; 光电传感器 PHOTO SQ TR PL M18 NPN NO+NC,CABLE
E3Z-FDN23 光学探测器和传感器 E3Z-FDN23 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z-F; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 光源:Red LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 500mm DIFFUSED RED NPN 500mm M12
E39-F3A-5 光学探测器和传感器 E39-F3A-5 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:5 mm; 长度:5 mm; 高度:16.5 mm; 特点:Lens unit for E32-C41, E32-C31 and E32-C31N; 连接方法:M3 Connector; 感应距离:7 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 0.1-0.6mm SMALL SPOT LENS
E3T-ST33 光学探测器和传感器 E3T-ST33 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 2M T-BEAM L/ON PNP
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