| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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ZX-XB1A |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 E3X-NM Mount Bracket |
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E39-F10 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 CUPLR PLSTC FBR 2.2M M OD |
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EO1804PPAS-1 |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:40 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 40 V; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 光源:LED; 感应距离:400 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO, DIFFUS M18 400MM PNP QD |
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E3S-AR61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:40 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Control the laser with digital fiber amplifier; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:2 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN POLAR RETROREFL |
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E3Z-LL61 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:20 mm to 40 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 LaserType BGS 20-300 mm Prewire |
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WP7113PD1C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.4 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 5mm PHOTODIODE |
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XUX5ARCNT16 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:20 V to 240 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:30 mm; 系列:XUX; 长度:127 mm; 高度:87.5 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:Relay; 连接方法:Cable Gland; 感应方式:Diffuse Reflective; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT XUX |
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SFH 2504 AN23 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2.7 uA; Pd-功率耗散:30 mW; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Bulk; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.01 us; 上升时间:0.01 us; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:0.05 nA; 峰值波长:1100 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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VP01E |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:40 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 40 V; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:LED; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 LVL SNSR OPTICAL NPN NC |
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E3S-AT81 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:45.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:7 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 7M Sep PNP w/Alarm Vert |
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XUK0AKSAM12 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUK; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR UNIVERSAL SUBCOMPACT |
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XUX1ARCNT16 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:20 V to 240 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:30 mm; 系列:XUX; 长度:127 mm; 高度:87.5 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:Relay; 连接方法:Cable Gland; 光源:Infrared LED; 感应距离:14 m; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT XUX |
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PA18CAD10NASA |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO AX DR PL M18 NPN NO+NC,CABLE |
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VP01EP |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:40 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:10 V to 40 V; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:LED; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 LVL SNSR OPTICAL PNP NC |
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E3Z-LS83 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 BGS PNP Prewire |
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E3C-VM35R |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 35MM CLR. MK. NRW BEAM |
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E3S-AD61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 封装:Bulk; 长度:45.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:200 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 20CM DIFF NPN VERT |
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E3S-LS20XE4 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; 特点:Pin point focusable and area focusable models eliminate back ground objects; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In DC; 光源:Infrared LED; 感应距离:29.97 mm to 100.07 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:T; 制造商:Omron; |
光电传感器 Background suppress diff. refl. 5-25cm |
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E3S-RS30E4-30 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photoelectric Sensor |
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OPL801-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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XUK0AKSAL2 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUK; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR |
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SFH 325 FA-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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OP802WSL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:5.13 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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SFH 320-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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KDT00030ATR |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:1100 uA; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 波长:630 nm; 类型:Photodetector Transistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:KDT00030; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:40 nA; 集电极—射极饱和电压:4.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 封装 / 箱体:ChipLED; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 Phototransistor Photo Detector |
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OPT101PG4 |
Texas Instruments |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:Optical Sensors; 商标:Texas Instruments; 宽度:6.99 mm; 系列:OPT101; 封装:Tube; 长度:9.91 mm; 高度:3.43 mm; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:650 nm; 响应率:0.45 A/W; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
光频率和光电压 Transimpedance Amp |
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E3Z-D87 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 封装:Bulk; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M8 Connector; 感应距离:300 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP DIFF-REFLECTIVE |
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APT2012PD1C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:160 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805 (2012 metric); 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 2x1.2mm PHOTODIODE |
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1540051EA3590 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:28 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Bulk; 系列:WL-TDRW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4 (5 mm); 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电二极管 WL-TDRW THT Photodiode Round |
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E3Z-B86 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 输出配置:PNP; 连接方法:M8 Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP M8 CONNECTOR |
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BP 104 SR-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.6E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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SFH 3201-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:120 mW; 下降时间:24 us, 34 us; 上升时间:24 us, 34 us; 暗电流:200 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:SMT; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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E3T-FD13 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:5 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 5-30Mm Mini Flat Diff LO PNP |
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E3T-ST14 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 特点:Self-contained sensor ideal for space-restricted applications; 主体类型:Rectangular; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-leaded; 光源:Red LED; 感应距离:1 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP Through beam Dark-ON 1M |
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E3JM-R4M4T-US |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3JM; 特点:Easy-to-wire terminal block; 主体类型:Rectangular; 输出配置:PNP; 连接方法:5 Conductor Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Polarized Red LED; 感应距离:4 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PES REF 4M SPDT THR |
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LTR-209 |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lite-On; 波长:940 nm; 封装:Bulk; 高度:5.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电晶体管 Phototrans Clear |
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BPV22NFL |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:85 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:4.5 mm; 高度:6 mm; 系列:BPV22NF; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 790-1050nm +/-60 deg |
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SFH 313 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:6.3 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:14 us; 上升时间:14 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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E3C-1 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photo Beam Break 1M |
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SFH 309 FA-4/5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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E3Z-T86A |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 封装:Bulk; 长度:43.5 mm; 高度:20 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M8 Connector; 光源:Infrared LED; 感应距离:15000 mm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP M8 CONN THRU-BEAM |
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VEMD6110X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 1206 750 to 1050nm +/-60 deg |
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E3Z-B61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 感应距离:500 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN PET BOTTLE PRE-WIRED |
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TEMT1040 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Axial leads 730-1000nm +/-15 deg |
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SFH 3015 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:320 uA; 半强度角度:13 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.6 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:2.51 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:-; 集电极—射极饱和电压:170 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 Phototransistor |
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TEMT1020 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 730-1000nm +/-15 deg |
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VEMD1060X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.8 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:70 deg; 下降时间:80 ns; 上升时间:60 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:10 pA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 0805 top view 350-1070nm +/-70 deg |
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BPW 34 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 长度:4.5 mm; 高度:2.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T/H |
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TEMD1020 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:4 ns; 上升时间:4 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 790-1050nm +/-15 deg |
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BPW 34 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4.1E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 长度:4.5 mm; 高度:2.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T/H |
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