| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
OP800A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:4.75 mm; 高度:7.61 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
 |
SFH 2701 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.4 uA; 噪声等效功率 - NEP:0.63E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.65 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.35 mm; 高度:1.25 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:2 ns; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :15 V; 暗电流:0.05 nA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3216; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE ChiPLED |
 |
BPV11F |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:9 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 波长:930 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Tube; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:5.75 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:130 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:930 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1.75 900 to 980nm +/-15 deg |
 |
SFH 2505 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.6 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:5.7 mm; 高度:7.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMR |
 |
BPV11 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:10 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:5.75 mm; 高度:8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:130 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1.75 450 to 1080nm +/-15 deg |
 |
SFH 3310 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:460 uA; 半强度角度:75 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:570 nm; 类型:Ambient light sensor with V-lambda characteristics; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:3.1 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:3 nA; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:570 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
 |
SFH 5711-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 上升时间:30 us; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:100 us; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 类型:High Accuracy Ambient Light Sensors; 长度:2.95 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:555 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2.95 mm x 2.35 mm; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 PHOTO IC (ALS) SMT |
 |
E3Z-T61-L |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 EMITTER ONLY FOR E3Z -T61 |
 |
OAS-61LD-2 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PHOTO |
|
E3Z-D81 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 封装:Bulk; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:100 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DIFFUSE WIDE VIEW PNP 2M |
 |
E3Z-D61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:15 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN DIFF REFLECTIVE |
|
E3Z-T61-D 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Detector of PES |
|
E3Z-D82 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:1 m; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DIFFUSE PNP CABLE |
 |
E3Z-D62 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 感应距离:1 m; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN DIFF REFLECTIVE |
 |
E3T-FD11 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:5 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 5-30mm MINI NPN FLAT DIFF |
|
E3T-SL21 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Convergence Beam 10-30mm L/ON NPN |
|
E3Z-T61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:15 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN THRU BEAM |
 |
E3Z-LS61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 特点:Adjustable sensing distance; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:20 mm to 200 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 BGS/FGS NPN Output Diffuse pre-wired |
 |
E3X-NA41 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-NA; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Standard; 光源:Red LED; 感应距离:200 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP 12 to 24 VDC 35 mA (Max.) |
 |
LTR-3208E |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lite-On; 宽度:5.8 mm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 长度:5.8 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3.6 mA; 工作电源电压:5 V; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电晶体管 Phototransistor PTX 5mm, Filtr |
|
E3Z-T81 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:15000 mm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Sensor Through-Beam PNP 15M |
 |
BP104S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1800; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4.3 mm; 长度:4.65 mm; 高度:2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 PIN Photodiode 950nm |
 |
XUK1ARCNL2 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:20 V to 240 V; 商标:Telemecanique; 宽度:18 mm; 系列:XUK; 长度:50 mm; 高度:18 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:Relay; 连接方法:Cable; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 50X50 AC/DC XUK |
 |
E3JM-R4M4-US |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3JM; 封装:Bulk; 特点:Easy-to-wire terminal block; 主体类型:Rectangular; 输出配置:PNP; 连接方法:5 Conductor Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:4 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PES REF 4M SPDT |
 |
VEMD10940F |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg |
 |
QSD123 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:12 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:6.1 mm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:6.1 mm; 高度:8.77 mm; 系列:QSD123; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 4mA PHOTO TRANS |
 |
SFH 309-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Bulk; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
 |
TEFT4300 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:30 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 波长:925 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:925 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1 875 to 1000nm +/-30 deg |
 |
TEFD4300 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:17 uA; Pd-功率耗散:215 mW; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Bulk; 长度:3.2 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:0.15 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 T-1 350 to 1120nm +/-20 deg |
 |
E3T-ST12-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 1M T-B D/ON NPN PIGT TWST&CLK |
|
E3S-AT11-D-M1J 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-A; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DetectorOnlyForE3S-A T11M1J0.3M |
|
E3Z-LS68 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 BGS NPN 4 pin M8 M8 Conn. |
|
E3Z-L66 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NARROW BEAM NPN M8 CONNECTOR |
|
E3T-ST23M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 300mm TBEAM L/ON PNP M3 MTG |
|
E3Z-LS88 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 BGS PNP 4 pin M8 M8 conn. |
|
E3T-ST13-M5J 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Pho-1M TB L/ON PNP PIGT |
 |
E3Z-B61 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN PRE-WIRED 5m |
 |
E3NC-SA24 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NC-S; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M8 Connector; 放大器类型:Laser; 光源:-; 感应距离:-; 感应方式:-; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN Amp M8 Connector |
|
E3T-FT21-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.3M T-B L/ON NPN |
|
E3T-FT24-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.3M T-B D/ON PNP |
|
E3ZM-R81-S3J 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Retro 4M Pre-Wired PNP |
|
3Z4S-LE SV-1214V |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
光电传感器 CCTV Lens 12mm |
|
3Z4S-LE SV-1614V |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 CCTV Lens 16mm |
 |
E3ZM-LS62H 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3ZM; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Distance settable NPN Red |
 |
E3JM-DS70M4T-G |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 240 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:25 mm; 封装:Bulk; 长度:75 mm; 高度:65 mm; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:Relay; 连接方法:Terminal Block; 光源:Infrared LED; 感应距离:700 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PES W/PG 13.5 C ONDUIT ENTRY |
 |
E3S-AD11 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:22.3 mm; 高度:40 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:200 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 20CM DIFF NPN HORIZ |
 |
Y92E-SWNPT12-T |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Sen Well NPT Thread Teflon M12 |
|
3Z4S-LE SV-0813V |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 CCTV Lens 8mm |
|
E3S-AD38 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:50 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:100 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 10CM DIFF PNP HOR W/ CONN |
|
Y92E-SGM30 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Sight Glass Mnt M30 Barrl Prox |
QQ客服
