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光学探测器和传感器
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
E3S-AD18 光学探测器和传感器 E3S-AD18 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:50 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:100 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 10CM DIFF NPN HOR W/ CONN
E3NC-LA7 光学探测器和传感器 E3NC-LA7 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NC-L; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Wire-saving Connector; 放大器类型:Laser; 光源:-; 感应距离:-; 感应方式:-; 制造商:Omron; 光电传感器 NPN Amp Wire Save Conn
E3JM-DS70S4-US 光学探测器和传感器 E3JM-DS70S4-US Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PES DIF 70CM SS NPN
E3S-AD32-M1J 0.3M 光学探测器和传感器 E3S-AD32-M1J 0.3M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-A; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PHOTO PIGTAIL TYPE ONN. 0.3m
E3NC-SA51 2M 光学探测器和传感器 E3NC-SA51 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NC-S; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Laser; 光源:-; 感应距离:-; 感应方式:-; 制造商:Omron; 光电传感器 PNP Prewired Amp 2M
E3NC-LA51 2M 光学探测器和传感器 E3NC-LA51 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NC-L; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Laser; 光源:-; 感应距离:-; 感应方式:-; 制造商:Omron; 光电传感器 PNP Prewired Amp 2M
E3S-AD11-M1J 0.3M 光学探测器和传感器 E3S-AD11-M1J 0.3M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PES NPN Hrzl Mount
3Z4S-LE SV-3518V 光学探测器和传感器 3Z4S-LE SV-3518V Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 CCTV Lens 35mm
E3Z-L61-M1J 0.3M 光学探测器和传感器 E3Z-L61-M1J 0.3M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Narrow Beam M12 Conn ector
E3X-MDA11 光学探测器和传感器 E3X-MDA11 Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-MDA; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:2-Channel; 光源:Red LED; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 2 Channel FOA NPN Prewired
VEMD10940FX01 光学探测器和传感器 VEMD10940FX01 Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1.56 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3 uA; Pd-功率耗散:104 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:150 deg; 下降时间:1000 ns; 上升时间:1000 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg
QSB363ZR 光学探测器和传感器 QSB363ZR ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:12 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.2 mm; 类型:Photo Transistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:2.7 mm; 高度:3 mm; 系列:QSB363; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:940 nm; 封装 / 箱体:T-3/4; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光电晶体管 Phototransistor Si Infrared
VEMD2520X01 光学探测器和传感器 VEMD2520X01 Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.3 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.3 mm; 高度:2.77 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Gullwing 350-1120nm +/-15 deg
28317 光学探测器和传感器 28317 Parallax 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Image Sensors; 商标:Parallax; 工作电源电压:5 V; 分辨率:128 kilopixels; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:Parallax; 图像传感器 Linescan Imaging Sen TSL1401 Daughterbrd
E3S-GS3B4 光学探测器和传感器 E3S-GS3B4 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-GS; 封装:Bulk; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Pulse Modulated Infrared LED; 感应距离:3 cm (1.18 in); 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR
E3X-SD21 2M 光学探测器和传感器 E3X-SD21 2M Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Fiber Amp NPN 2 M prewired
TEMT7000X01 光学探测器和传感器 TEMT7000X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 0805 470-1090nm +/-60 deg
OP535A 光学探测器和传感器 OP535A TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光电晶体管 Photodarlington
TMD27723 光学探测器和传感器 TMD27723 ams 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TMD27723; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Module SMD-8; RoHS:Y; 制造商:ams; 环境光传感器 Ambient Light Sensor Optical Module 1.8V
E3X-CN11 光学探测器和传感器 E3X-CN11 Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-HD; 特点:3-wire; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Master Connector; 光源:Red LED; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Master Connector
SFH 320 FA-Z 光学探测器和传感器 SFH 320 FA-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
QSE133 光学探测器和传感器 QSE133 ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.54 mm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:4.44 mm; 高度:5.08 mm; 系列:QSE133; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:50 us; 上升时间:20 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:9 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:Side Looker; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光电晶体管 Phototransistor Darlington Sidelook
RPT-34PB3F 光学探测器和传感器 RPT-34PB3F ROHM Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:36 deg; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:3.8 mm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:3.8 mm; 高度:5.2 mm; 系列:RPT-34PB3F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:500 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 光电晶体管 PHOTO Visible Ray Cut Colored Pkg
TEMD6010FX01 光学探测器和传感器 TEMD6010FX01 Vishay 光学探测器和传感器 Vr - 反向电压 :16 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:100 mW; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Ambient Light Sensor; 长度:2 mm; 高度:1.05 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMDxxxxFX01; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:540 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 环境光传感器 16V 100mW 540nm AEC-Q101 Qualified
VEMD6010X01 光学探测器和传感器 VEMD6010X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 1206 430 to 1100nm +/-60 deg
OPL810 光学探测器和传感器 OPL810 TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光IC传感器 Photologic Sensor
VBP104SR 光学探测器和传感器 VBP104SR Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Reverse gullwing 430-1100nm +/-65 deg
SFH 2400 FAR 光学探测器和传感器 SFH 2400 FAR Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:120 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.6 mm; 高度:1.1 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电二极管 PHOTODIODE
SFH 314 FA-2/3 光学探测器和传感器 SFH 314 FA-2/3 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:40 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:6.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:12 us; 上升时间:12 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
BPW76B 光学探测器和传感器 BPW76B Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:0.8 mA; 半强度角度:40 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.5 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 TO-18 450-1080nm +/-40 deg
SFH 3211 FA-Z 光学探测器和传感器 SFH 3211 FA-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.8 mm; 波长:950 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:1.9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLLC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
ISL29006IROZ-T7 光学探测器和传感器 ISL29006IROZ-T7 Renesas Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29006; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; 光学数位转换器 ISL29006IROZ LW COST AMBIENT LIGHT PHOTO
APDS-9950 光学探测器和传感器 APDS-9950 Broadcom Limited 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 上升时间:20 ns; 响应率:-; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:20 ns; 商标:Broadcom / Avago; 宽度:2.36 mm; 类型:Digital Proximity, RGB and Ambient Light Sensor; 长度:3.94 mm; 高度:1.35 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:APDS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Color Sensors; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; 环境光传感器 DIGITAL RGB LIGHT SENSOR
E3S-CT61 光学探测器和传感器 E3S-CT61 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 封装:Bulk; 长度:57 mm; 高度:32.2 mm; 特点:Mutual interference protection; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 连接方法:Pre-Wired; 光源:Infrared LED; 感应距离:30 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 THROUGH BEAM Emitter/rcvr pair
MS3108E22-22S 光学探测器和传感器 MS3108E22-22S Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Motor Side Connctr to make G5
VEMD2503X01 光学探测器和传感器 VEMD2503X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Reverse gullwing 350-1120nm +/-35 deg
SFH 3400-2/3-Z 光学探测器和传感器 SFH 3400-2/3-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.7 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:1.05 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:120 mW; 下降时间:24 us, 34 us; 上升时间:24 us, 34 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:170 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
E3Z-T66 光学探测器和传感器 E3Z-T66 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:15000 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Through-Beam NPN Connector
E3Z-LS66 光学探测器和传感器 E3Z-LS66 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 特点:Adjustable sensing distance; 光源:Red LED; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 BGS/FGS NPN Output Diffuse M8 Connector
E3Z-T81-L 2M 光学探测器和传感器 E3Z-T81-L 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:20 mm; 系列:E3Z; 长度:10.8 mm; 高度:31 mm; 特点:Emitter only for E3Z; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 40 C; 光源:Infrared LED; 感应距离:15 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Emitter Only for E3Z -T81
E3S-AR36 光学探测器和传感器 E3S-AR36 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:52.3 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 光源:Red LED; 感应距离:2000 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 2M RETRO PNP W/CONN VERT
VTPS1192HB-TR 光学探测器和传感器 VTPS1192HB-TR Stanley Electric 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:1.3 mA; 商标:Stanley Electric; 波长:900 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:Photodetector; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:2.6 us; 上升时间:1.8 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.1 V; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805 (2012 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Stanley Electric; 光电晶体管 Surface Mount LED
SFH 320 FA-3/4-Z 光学探测器和传感器 SFH 320 FA-3/4-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 ua; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
VBP104FASR 光学探测器和传感器 VBP104FASR Vishay 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Reverse gullwing 780-1050nm +/-65 deg
MLX75305KXD-AAA-000-SP 光学探测器和传感器 MLX75305KXD-AAA-000-SP Melexis 光学探测器和传感器 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:80; 产品类型:Optical Sensors; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Melexis; 系列:MLX75305; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 峰值波长:850 nm; 响应率:70 mV/(uW/cm2); 产品:Light to Voltage Converters; RoHS:Y; 制造商:Melexis; 光频率和光电压 Light to voltage converter
MLX75305KXD-ABA-000-SP 光学探测器和传感器 MLX75305KXD-ABA-000-SP Melexis 光学探测器和传感器 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:80; 产品类型:Optical Sensors; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Melexis; 系列:MLX75305; 封装:Bulk; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 峰值波长:850 nm; 响应率:7 mV/(uW/cm2); 产品:Light to Voltage Converters; RoHS:Y; 制造商:Melexis; 光频率和光电压 Light to voltage converter
BPX 86 光学探测器和传感器 BPX 86 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
E3ZM-V61 2M 光学探测器和传感器 E3ZM-V61 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 封装:Bulk; 制造商:Omron; 光电传感器 Diffuse Color Mark N PN 2M(COO)
E3S-AT61 光学探测器和传感器 E3S-AT61 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:45.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Control the laser with digital fiber amplifier; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:7 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 NPN THRU BEAM
E3T-ST22 2M 光学探测器和传感器 E3T-ST22 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Photoelectric
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