| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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XUY41013 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUY; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 FOCAL THRUBEAM MECATHERM |
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XUY609NB6H03M12 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUY; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 XUY RCS 609MM ADH 0.3M CBL + M12 |
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XUBTAPSNM12 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUB; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR |
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5000002 |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 响应率:50 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:360 mW; 噪声等效功率 - NEP:2E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:9.2 mm; 类型:Avalanche Photodiode Amplifier Hybrid; 封装:Bulk; 长度:9.2 mm; 高度:4.2 mm; 系列:APD Series 8; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:0 C; 半强度角度:113 deg; 上升时间:350 ps; Vr - 反向电压 :200 V; 暗电流:0.5 nA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 High Speed Si APD w/1.3Ghz Amplifier |
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XU2N18KP9AAS27 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XU2; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 18MM,DC,TRANSMITTER,PNP,2M CABLE, METAL |
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XU2N18PP9AAL5R |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XU2; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 18MM,DC,RCVR., PNP,5M CABLE METAL,NO/NC |
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XUVH0312 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:58 mm; 系列:XUV; 长度:40 mm; 高度:68 mm; 特点:Photo-electric sensor; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 5 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Infrared LED; 感应距离:30 mm; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 24V 100MA |
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XU2M18MA230WR |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XU2; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 RECEIVER FOR XU2M18MA230W |
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XU2M18MC230WT |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XU2; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 EMITTER FOR XU2M18MA230W |
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XUJK803538 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUJ; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 38VDC 200MA |
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XUSL2E30H016N |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUS; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 Type 2 30 mm resolution 160 mm prot ht |
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XUY40324 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUY; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 FV E R GLASS FIBRE HIGH TEMPERATURE THR |
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SFH 310 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5000 uA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2000 uA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 203 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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PMP12RI |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:21.6 VAC, 10.8 VDC; 电源电压-最大:264 VAC, 264 VDC; 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:21.6 VAC to 264 VAC, 10.8 VDC to 264 VDC; IP 等级:IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 宽度:25 mm; 长度:65 mm; 高度:81 mm; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 连接方法:Cable; 光源:LED; 感应距离:12 m; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO PR PL XM SPDT |
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E3C-JC4P |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 AMP RAIL MT ALARM OUTPUT |
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MOFT20-M14-8 |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:3 V, 8 V; IP 等级:IP66, IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 放大器类型:Separate Digital; 光源:LED; 感应距离:20 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO,TRANS,20M,M14THREAD,8DEG |
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E3S-AR11 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12 mm; 系列:E3S-A; 长度:51.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Control the laser with digital fiber amplifier; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:2 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN POLAR RETROREFL |
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E3S-CT66 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 封装:Bulk; 长度:74 mm; 高度:32.2 mm; 特点:Mutual interference protection; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 感应距离:30 m; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 T BEAM 30MM CONN |
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OPL820-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.1 us; 下降时间:60 ns; 上升时间:60 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:12 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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QSB363 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:24 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.2 mm; 波长:940 nm; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.7 mm; 高度:3 mm; 系列:QSB363; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1.5 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:T-3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 T-3/4 PHOTO SENSOR |
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E3Z-FDN17 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:15 mm; 系列:E3Z-F; 长度:31 mm; 高度:35 mm; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 500mm DIFFUSED RED NPN Pre-wired 2M |
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E3Z-FDN21 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z-F; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 光源:Red LED; 感应距离:100 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 100mm DIFFUSED RED NPN Connect M12 |
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E3Z-FDN14 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z-F; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 光源:Red LED; 感应距离:1 m; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 1M Diffuse-reflectiv RED NPN Pre-wired 2M |
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E3X-SD51 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Fiber Amp PNP 2 M prewired |
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E3S-RS30B4-30 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SWITCH |
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QSD124A4R0 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1200; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:12 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:6.1 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:6.1 mm; 高度:8.77 mm; 系列:QSD124; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 QSD124 T-R |
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E39-S63 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 感应距离:100 mm to 300 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.1 AND 0.5 SLITS FOR E3T |
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E3Z-FDP24 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:15 mm; 系列:E3Z-F; 长度:31 mm; 高度:35 mm; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:1 m; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 1M Diffuse-reflectiv RED PNP Connect M12 |
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E3C-JB4P |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; 封装:Bulk; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Pulse Modulated Infrared LED; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 AMP RAIL MT ALARM OUTPUT |
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E3ZM-B66 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
光电传感器 PET NPN M84pin Conn w/oReflctr |
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E3S-AT11 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:40 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Control the laser with digital fiber amplifier; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:7 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN |
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E3S-AT16 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:45.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 光源:Red LED; 感应距离:7000 mm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 7M Sep NPN w/Conn Horiz |
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E3S-R87 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:30 cm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PNP CONN. VERT INFAR ED 10-30cm |
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E3S-AT36 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:45.3 mm; 高度:21 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:7000 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 With Vert Conn PNP |
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E3Z-LT61 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
光电传感器 LasrType T/B 60M Pre wire2M NPN |
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AP2012P3C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.4 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 2x1.2mm PHOTOTRANS SMD LED |
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E3Z-FDP27 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67, IP69K; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:15 mm; 系列:E3Z-F; 长度:31 mm; 高度:35 mm; 特点:Sensor Amplifier Units, Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 500mm DIFFUSED INFRARED PNP M12 |
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E3T-SL23M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 530mm TBEAM L/O N PNP M3 MTG |
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E3JM-DS70M4-US |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3JM; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PES DIF 70CM SPDT |
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E3S-R67 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN CONN. VERT INFAR ED 10-30cm |
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E3S-CR66 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 长度:74 mm; 高度:32.2 mm; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:3 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 VERT RETRO 3M CONN. |
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E3X-NA11F 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-NA; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:High Speed; 光源:Red LED; 感应距离:200 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 HS Prewired NPN Red |
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OP505C |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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XUFN12301 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUF; 特点:General use; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 25 C; 连接方法:Cable; 感应距离:2 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR CABLE 2M |
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XUK0ARCTL2 |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUK; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 AC/DC RELAY UNIVERSL SUBCOMPACT,2M CBL |
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