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光学探测器和传感器
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
E3JM-R4M4T-G 光学探测器和传感器 E3JM-R4M4T-G Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 240 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3JM; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:Relay; 连接方法:Screw Terminals; 光源:Red LED; 感应距离:4 m (13.1 ft); 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 RELAY OUT TIMER 4m SENSING
E3S-CT11-D 5M 光学探测器和传感器 E3S-CT11-D 5M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-C; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 TETRA-PAK DETECTOR
OP598B 光学探测器和传感器 OP598B TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光电晶体管 PHOTOSENSOR
BPX 85 光学探测器和传感器 BPX 85 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:125; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
E3T-ST13 光学探测器和传感器 E3T-ST13 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:1 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Photo Mini S/V Thru PNP LO
E3S-AD17 光学探测器和传感器 E3S-AD17 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:50 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:700 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 70CM DIF NPN W/ CONN HOR
E3S-CR11 光学探测器和传感器 E3S-CR11 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 长度:50 mm; 高度:29.5 mm; 特点:Mutual interference protection; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 感应距离:3000 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 POLAR RETROREFLECTIV
SFH 320 FA-4-Z 光学探测器和传感器 SFH 320 FA-4-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
RPT-37PB3F 光学探测器和传感器 RPT-37PB3F ROHM Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:36 deg; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:3.8 mm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:3.8 mm; 高度:5.2 mm; 系列:RPT-37PB3F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:500 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 光电晶体管 PHOTO Visible Ray Cut Colored Pkg
E3C-DS10 光学探测器和传感器 E3C-DS10 Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Photo Diffuse 10 cm
MOFR 光学探测器和传感器 MOFR Carlo Gavazzi 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:3 V, 8 V; IP 等级:IP66, IP67; 商标:Carlo Gavazzi; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 放大器类型:Separate Digital; 光源:LED; 感应方式:Through Beam; 制造商:Carlo Gavazzi; 光电传感器 PHOTO, THRU BEAM RECEIVER
E3T-FT22 2M 光学探测器和传感器 E3T-FT22 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Photoelectric
E39-F9 光学探测器和传感器 E39-F9 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 特点:Lenses extend sensing distances; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 2.2MMOD FIBER CNNCTR
SFH 325-Z 光学探测器和传感器 SFH 325-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 波长:980 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
VEMD5010X01 光学探测器和传感器 VEMD5010X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD5010X01; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 峰值波长:940 nm; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 430-1100nm +/-65 deg
PIR-045 光学探测器和传感器 PIR-045 MEAN WELL 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:160; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 4 V; 商标:MEAN WELL; 系列:PIR; 最大工作温度:+ 40 C; 最小工作温度:- 10 C; 光源:LED; 感应距离:6 m; 感应方式:Light; RoHS:Y; 制造商:MEAN WELL; 光电传感器 Photoelectric Motion Sensor 6M Distance
OPL530 光学探测器和传感器 OPL530 TT Electronics 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:90 mW; 低电平输出电压:0.2 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:3 us; 下降时间:20 ns; 上升时间:1.5 us; 高电平输出电流:0.1 uA; 工作电源电流:2.7 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Internal 10K - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; 光IC传感器 Photologic Sensor
BPW85C 光学探测器和传感器 BPW85C Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:8 mA; 半强度角度:25 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg
QSE113 光学探测器和传感器 QSE113 ON Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.54 mm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:4.44 mm; 高度:5.08 mm; 系列:QSE113; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:Side Looker; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 光电晶体管 0.25mA PHOTO TRANS
E3T-FT12 光学探测器和传感器 E3T-FT12 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:500 mm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Flat Thru-Beam D/ON NPN
XUX0ARCTT16 光学探测器和传感器 XUX0ARCTT16 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V to 240 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:30 mm; 系列:XUX; 长度:77 mm; 高度:92 mm; 特点:General purpose multimode photo-electric sensor; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 连接方法:Cable Gland; 光源:Infrared LED; 感应距离:60 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT XUX
RPT-38PB3F 光学探测器和传感器 RPT-38PB3F ROHM Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:36 deg; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:3.4 mm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:3.4 mm; 高度:5.2 mm; 系列:RPT-38PB3F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:500 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 光电晶体管 PHOTO Visible Ray Cut Colored Pkg
E3Z-LS81 光学探测器和传感器 E3Z-LS81 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 特点:Adjustable sensing distance; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Red LED; 感应距离:200 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 BGS/FGS PNP Output Diffuse pre-wired
E3Z-T81-D 2M 光学探测器和传感器 E3Z-T81-D 2M Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Detector only for E3 Z-T81
SFH 300 FA 光学探测器和传感器 SFH 300 FA Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:-; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
E3Z-T86 光学探测器和传感器 E3Z-T86 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:43.5 mm; 高度:20 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Infrared LED; 感应距离:15 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Through-Beam PNP Con nector
BPW85B 光学探测器和传感器 BPW85B Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:25 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg
1540051EC3590 光学探测器和传感器 1540051EC3590 Wurth Elektronik 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:31 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Bulk; 系列:WL-TDRB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4 (5 mm); 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; 光电二极管 WL-TDRB THT Photodiode Round
VEMT2003X01 光学探测器和传感器 VEMT2003X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg
VEMD5110X01 光学探测器和传感器 VEMD5110X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD5110X01; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 峰值波长:940 nm; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 790-1050nm +/-65 deg
E3C-S10 光学探测器和传感器 E3C-S10 Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3C; 封装:Bulk; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 感应距离:10 cm; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 THRU-BEAM SENSOR
SFH 3600-Z 光学探测器和传感器 SFH 3600-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:500 uA; 半强度角度:20 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 波长:990 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.7 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:130 mW; 下降时间:45 us; 上升时间:45 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:990 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:MIDLED; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR
VEMD5060X01 光学探测器和传感器 VEMD5060X01 Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:26 uA; Pd-功率耗散:240 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:30 ns; 上升时间:30 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:200 pA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电二极管 Top view 350-1070nm +/-65 deg
E3Z-D86 光学探测器和传感器 E3Z-D86 Omron 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:43.5 mm; 高度:20 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Standard Connector; 感应距离:100 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Diffuse PNP Connector
TEKT5400S 光学探测器和传感器 TEKT5400S Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:37 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.65 mm; 波长:920 nm; 类型:Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:6 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:920 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 Sideview 850-980nm +/-37 deg
E3X-CN21 光学探测器和传感器 E3X-CN21 Omron 光学探测器和传感器 商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X; 封装:Bulk; 长度:2 m; 特点:Digital Fiber Amplifier Connector; 主体类型:Rectangular; 连接方法:Master Connector; 光源:Red LED; RoHS:Y; 制造商:Omron; 光电传感器 Power + input conn Master 4 cond 2M
BPW 34 FASR-Z 光学探测器和传感器 BPW 34 FASR-Z Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.02 us; 上升时间:0.02 us; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电二极管 PHOTODIODE, SMT RG
BPY 62 光学探测器和传感器 BPY 62 Osram Opto Semiconductor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:8 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:830 nm; 封装 / 箱体:TO-18; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; 光电晶体管 PHOTODIODE
BPW76A 光学探测器和传感器 BPW76A Vishay 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:0.8 mA; 半强度角度:40 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:5.5 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 光电晶体管 TO-18 450-1080nm +/-40 deg
XUB5BPANL2 光学探测器和传感器 XUB5BPANL2 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUB; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 18MM PNP XUB
AD500-8-S1 光学探测器和传感器 AD500-8-S1 First Sensor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 响应率:50 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 类型:Silicon Avalanche Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:APD Series 8; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:108 deg; 上升时间:350 ps; Vr - 反向电压 :80 V; 暗电流:0.5 nA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52-S1; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; 光电二极管 AD500-8-S1 120-160V
QP20-6-TO8S 光学探测器和传感器 QP20-6-TO8S First Sensor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 响应率:0.64 A/W; 产品类型:Photodiodes; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:15.2 mm; 长度:15.2 mm; 高度:4.4 mm; 系列:QP Series 6; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:2000 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-8S; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; 光电二极管 20mm sqd. PIN dect quad PIN photodiode
PS100B-7-CERPINE 光学探测器和传感器 PS100B-7-CERPINE First Sensor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Photodiodes; 噪声等效功率 - NEP:6.1E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:First Sensor; 宽度:15 mm; 类型:PIN Photodiode; 长度:16.5 mm; 高度:2.1 mm; 系列:PS100B-7; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 上升时间:500 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:5 nA; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; 光电二极管 100mm squared PIN dectector Photodiode
XUFN2L01L2 光学探测器和传感器 XUFN2L01L2 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUF; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 OPTIC LENS W/THRU BEAM FIBER
XUN5ANANM12 光学探测器和传感器 XUN5ANANM12 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Schneider Electric; 系列:XUN; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 Photoelectric Sensor 24VDC NPN NO
AD800-9-TO52-S1 光学探测器和传感器 AD800-9-TO52-S1 First Sensor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 响应率:60 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 类型:NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:APD Series 9; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:101 deg; 上升时间:0.9 ns; Vr - 反向电压 :180 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52-S1; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; 光电二极管 Si APD Enhanced for 905nm 800um Area
XUMTANCNM8 光学探测器和传感器 XUMTANCNM8 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUM; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOCELL SENSOR TRANSP NPN NONC M8
XUX9APBNT16 光学探测器和传感器 XUX9APBNT16 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Telemecanique; 宽度:30 mm; 系列:XUX; 长度:127 mm; 高度:87.5 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable Gland; 感应方式:Polarized Reflex; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT PNP XUX
XUB0BPSNL2 光学探测器和传感器 XUB0BPSNL2 Schneider Electric 光学探测器和传感器 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUB; 制造商:Schneider Electric; 光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 18MM PNP XUB
AD1100-9-TO52-S1 光学探测器和传感器 AD1100-9-TO52-S1 First Sensor 光学探测器和传感器 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 响应率:60 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:8E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 类型:NIR Enhanced Avalanche Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:APD Series 9; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:92 deg; 上升时间:1.3 ns; Vr - 反向电压 :180 V; 暗电流:4 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; 光电二极管 Si APD Enhanced for 905nm 1130um Area
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